1 基本概念
高介电材料的概念最初来源于半导体行业,和二氧化硅相比,介电常数高的材料称为高介电材料。后来,这个用法扩展到电子电气行业,并引发了研发高介电材料的热潮
电介质在外加电场下会发生极化,如图 1.1 所示,介电常数(ε)是电介质的核心参数,可以用来表征电介质在外加电场下极化和储存电荷的能力。材料的介电常数很小,通常用相对介电常数来表述,即材料的实际介电常数和真空介电常
数(ε0,8.85x10-12 F/m)的比值。在本文中,除特别说明外,介电常数都是指相对介电常数。
在交变电场下,电介质的电场响应复杂,这时候材料的介电性能通常用复数形式的介电常数(ε*)表示,如公式 1.1 所示。当给电介质施加交变电场,内部电荷分布的结构会发生相应的变化,正负电荷迁移,或偶极取向,产生极化,相应的可以用介电常数实部(ε′)表征;电荷迁移或偶极取向的过程中,会损失部分电能,可以用介电常数的虚部(ε″)(也有文献中叫介电损耗因子)来表征。介电常数虚部和实部的比值称为介电损耗(tan δ),如公式 1.2 所示。介电损耗主要来源有界面极化、偶极松弛和漏电电流,因此损耗因子可以由公式 1.3来表示。电介质的电场响应非常复杂,有时候为了便于分析电介质的极化和松弛现象,人们常采用电模量参数。电模量可以忽略漏电电流和电极差异的影响,能很好的反映低频下界面极化和偶极取向的电场响应。电模量常用复数形式表示,分为实部和虚部,如公式 1.4 所示:
在两块平行的电极中间填入电介质,可以形成最常见的平行板电容器。当一外在电压施加到两电极上时,电极上就会聚集相应的电荷。其中,电荷的总量和电压成正比,比值为平板电容器的电容。
其中,Q 为电量,V 为电压,C 为电容。电容的大小不仅和电介质的介电常数有关,还和电极的几何形状有关,符合如下关系:
其中 A 是电极的面积,d 是平板间的距离。平板电容在施加电压的时候可以储存电能,中间的电介质材料也会发生极化。它的极化曲线(电滞曲线)如图 1.2 所示,电位移随施加电场的增大而增大。图中阴影部分为材料的放电能量密度,也叫储能密度,它也可以用以下公式计算:
储能密度的大小和电场有关,对线性材料,储能密度和电场的平方成正比,可以 用如下公式表示:
图中曲线包围的区域(斜线部分)为损耗能量密度,损耗能量密度和放电能量密度之和为充电能量密度,放电能量密度与充电能量密度的比值为储能效率:
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