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咨询电话:136991450101. 样品制备
厚度公差≤±0.1 mm,平行度≤5 µm,避免“边缘电容 Ce"引入系统误差 。
表面粗糙度 Ra≤0.8 µm,防止“表面电导"使 tanδ 偏大 。
2. 电极系统
三电极结构(保护电极-测量电极-高压电极)必须对中,消除“边缘效应"和“杂散电容 Cs" 。
接触压力 0.5 N/mm²,确保“真实接触面积"接近几何面积,降低“空气间隙误差" 。
3. 校准顺序
空载电容 C0→短路零点→标准电容器(NIST 溯源),完成“三点校准"后再测样品 。
每年≤1 次整机校准,并记录“校准因子 k"便于结果溯源 。
4. 环境控制
23 ℃±2 ℃,RH ≤ 65 %,高频测试时把整机移入恒温恒湿箱,静置 2 h 以消除“吸湿极化" 。
5. 寄生电容补偿
高频下引线寄生电容 Cp 可高达 10 pF,必须使用仪器内置“Cp 补偿"功能,否则 εʹ 虚高 。
6. 高压安全
升压速率≤1 kV/s,场强上限 1 kV/mm(IEC 60250),防止“预击穿树化" 。
操作区 1 m 内禁人,配 CO₂ 灭火器,防止“表面闪络"引发电弧 。
7. 数据记录
同步记录“环境 tanδ 背景值"(空池),用于后期“空白扣除" 。
8. 关机流程
先降电压→放电 30 s→取样品,防止“残余电荷"损坏输入级 。
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