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纳米填料对聚合物介电常数的影响

更新时间:2023-11-29      点击次数:955

纳米填料对聚合物介电常数的影响

具有良好介电性能的陶瓷、聚合物或陶瓷聚合物复合材料可以用来制造电容器等电子元件。一方面电子技术迅速发展和广泛应用对电容器等电子元件提出大容量、小体积、长寿命、高可靠性等新要求需要增大介电材料的介电常数;另一方面由于多芯片等*半导体技术的出现只有减小基板的介电常数才能减少信号传输延迟时间和提高布线密度因此开发低介电常数材料也是研究的主要方向之一。纳米填料对聚合物介电常数的影响在很大程度上取决于纳米填料自身的介电常数与填充量高介电常数的填料在聚合物中所占的比例增大时复合材料的介电常数也随之增大。在降低聚合物的介电常数方面主要采用向聚合物中引入气体的方法如直接引入空气或气孔率较大的填料。

常用于提高聚合物相对介电常数的纳米填料主要有Al2O3TiO2BaTiO3其中钛酸钡(BaTiO3)作为一种最重要的高介电常数铁电氧化物其填充的聚合物的介电常数可在较大的范围内进行调控在电子和光学工业中有广泛地应用前景人们对纳米BaTiO3/聚合物复合材料的介电性能进行了详细的研究。印度的MuralidharPillai[17‚18]研究发现BaTiO3重量分数为70%的BaTiO3PVDF复合材料其介电常数最大133310Hz‚30℃只有这种组分比的材料介电常数高于所推算的介电常数1280。朱宝库等人[19]制备出聚酰亚胺/BaTiO3复合膜并对其进行了介电性能测试实验表明随着BaTiO3含量的增加复合材料的介电常数也随之增加复合膜的介电常数具有良好的温度和电场频率的不敏感性‚BaTiO3含量为50%(体积分数)复合膜的介电常数达到35‚是纯聚酰亚胺的10倍。因为纳米BaTiO3/聚合物复合材料在交互电场中除了BaTiO3本身产生强烈的极化外复合物的界面同时也发生界面极化现象。

在降低介电常数研究方面‚ZhangY采用向聚酰亚胺中加入纳米硅管的方法降低其介电常数当纳米硅管含量小于3%质量分数时复合物的介电常数随着纳米硅管含量的增加而减小这是因纳米硅管中含有较多的空气而空气的介电常数接近于1‚所以复合物的介电常数降低。在纳米填料含量较低并与聚合物生成纳米结构时介电常数反而在很多情况下会减小表明介电常数的降低是因纳米结构的存在造成的。TTanaka采用多核模型对纳米复合体系介电常数降低现象进行了解释如图1所示。以TiO2/环氧树脂纳米复合体系为例纳米TiO2周围的环氧高分子可分为三层结构第一层为键合层环氧分子与TiO2表面的羟基产生键合作用该层环氧分子自由运动能力最差;第二层和第三层分别为半固定层和自由运动层。由于纳米粒子与聚合物之间庞大的界面效应使高分子链段与纳米粒子表面的羟基发生键合限制了聚合物在电场下的转向运动从而造成介电常数的降低。

 

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