介质损耗的表征方法
有关介质的损耗描述方法有多种,哪一种描述方法比较方便,需根据用途而定。
损耗角正切 | tg | 介质损耗大小 |
损耗因子 | tg | 作为绝缘材料的选择依据 |
品质因素 | Q=1/tg | 应用于高频 |
损耗功率 | p | 功率的计算 |
等效电导率 | = | 电介质发热 |
复介电常数的复项 | | 研究材料的功率、发热 |
1、介质损耗角δ
在交变电场作用下,电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角(δ)。 简称介损角
2、介质损耗正切值tgδ
又称介质损耗因数,是指介质损耗角正切值,简称介损角正切。介质损耗因数的定义如下
这正是损失角δ=(90°-Φ)的正切值。因此现在的数字化仪器从本质上讲,是通过测量δ或者Φ得到介损因数。
损耗角正切:
复介电常数
1)复介电常数的含义
电极化的基本过程有三:
①原子核外电子云的畸变极化;
②分子中正、负离子的(相对)位移极化;
③分子固有电矩的转向极化。
在外界电场作用下,介质的介电常数 ε是综合地反映这三种微观过程的宏观物理量;它是频率 ω的函数ε(ω)。
低频极化
只当频率为零或频率很低(例如1千赫)时,三种微观过程都参与作用,这时的介电常数ε(0)对于一定的电介质而言是个常数,通称为介电常数,这也就是静电介电常数εs或低频介电常数。
中频极化
随着频率的增加,分子固有电矩的转向极化逐渐落后于外场的变化,这时,介电常数取复数形式ε(ω)=ε′(ω)-jε″(ω),其中虚部ε″(ω)代表介质损耗;它是由于电极化过程追随不上外场的变化而引起的。
实部随着·频率的增加而显著下降,虚部出现峰值。
高频极化
频率再增加,实部ε′(ω)降至新值,虚部ε″(ω)变为零,这表示分子固有电矩的转向极化已不能响应了。
当频率进入到红外区,分子中正、负离子电矩的振动频率与外场发生共振时,实部ε′(ω)先突然增加,随即陡然下降,ε″(ω)又出现峰值;
过此以后,正、负离子的位移极化亦不起作用了。
2)漏导复介电常数:
复介电常数:
损耗角正切
ε’和ε"是依赖于频率的量
介质的损耗由复介电常数的虚部引起,通常电容电流由实部引起,相当于实际测得介电常数。
2)极化损耗的复介电常数
交变电场作用下的P(t)为:
A.极化损耗复介电常数
B.极化损耗复介电常数含义:
D.复介电常数的德拜表达式
其中: (0) -----低或静态的相对介电常数
------ 时的相对介电常数
4、介质损耗功率
1)直流电压下 PW=IU=GU2 G为介质的电导,单位为西门子(S)。
定义单位体积的介质损耗为介质损耗功率p,
V为介质体积,σ为纯自由电荷产生的电导率(S/m)。
在一定的直流电场下,介质损耗率取决于材料的电导率
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