通过对复合材料的介电性能研究,如图2.13 <a)所示,随着填料的增加介电常数逐渐升高,而且与未包覆单宁酸的复合材料相比,当填料体积分数超过7.5时,介电常数不会出现下降情况,而会越来越高,这充分说明了单宁酸使填料的分散性和相容性更好,从而不会由于填料升高出现团聚现象而导致介电常数出现下降的情况。在介电损耗方便,与之前未包覆单宁酸的复合材料相比也有很大下降,如体积分数为2.5%和5%的TA@CCTO NW/P(VDF-HFP)复合材料在低频范围下其介电损耗低于纯P(VDF-HFP),这比之前未包覆单宁酸的复合材料介电性能有了很大提升。从而我们得出用单宁酸有机小分子对无机填料进行包覆后制备出的复合材料可以使填料有着更好的相容性,从而使复合材料的介电性能得到很大提升。
单宁酸有着和多巴胺相似的分子特性,如图2.13所示,我们将PDA@CCToNW/P(VDF-HFP)复合材料的介电性能TA@CCTO NW/P(VDF-HFP)复合材料进行对比。通过比较2.13 <a)与2.13 <b)两幅图,可以得出包覆单宁酸的复合材料
有着比包覆多巴胺复合材料更加高的介电常数,不过通过比较2.13<c)与2.13<d)两幅图,可以得出包覆多巴胺的复合材料有着更加低的介电损耗,且效果很好。两者在介电性能上各有优势,主要原因可能由于二者在包覆厚度上的区别,单宁
酸在包覆厚度上较薄,在Snm左右,多巴胺的包覆厚度较厚,在1 Onm左右,包覆薄可以让填料表现出更多的介电性能,从而介电常数较高,而多巴胺的厚度是填料的分散性更好,而且填料与聚合物基体之间的界面也不会出现电荷的聚集,
而产生漏电电流,进而提高介电损耗。
可以看出有机小分子对CCTO纳米线的表面改性使得其拥有更好的介电性能,尤其在介电损耗方面,经过改性的CCTO纳米线均可以大幅降低介电损耗。
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