绝缘材料的介电常数测试仪厂家价格

绝缘材料的介电常数测试仪厂家，橡胶塑料的介电常数测试仪价格

GBT 1409-2006
ZJD-B数字式介电常数及介质损耗测试仪

 仪器介绍
     ZJD-B全数字显示介电常数及介质损耗测试仪是根据GB/T 1409《测量电气绝缘材料在工频、音频、高频（包括米波波长在内）下电容率和介质损耗因数的试验方法》（等效采用IEC 60250）设计和制造的，并符合JB 7770

等试验方法。它适用于在高频（1MHz）下绝缘材料的测试。
    ZJD-B数字式介电常数及介质损耗测试仪读书清晰,无须换算,操作简便,特别适合电子元器件的质量分析,品质控制,科研生产,也可用于高校的电子信息,电子通信,材料科学等专业作科研实验仪器.
技术参数
信号源频率范围    DDS数字合成 10KHz-60MHz    Q测量范围    1-1000自动/手动量程
信号源频率覆盖比    6000:1    Q分辨率    4位有效数,分辨率0.1
信号源频率精度    3X10 -5 ±1个字,6位有效数    Q测量工作误差    <5%
电感测量范围    15nH-8.4H,4位有效数,分辨率0.1nH    调谐电容    主电容30-500PF
电感测量误差    <5%    调谐电容误差和分辨率    ±1.5P或<1%
标准测量频点    全波段任意频率下均可测试    Q合格预置范围    5-1000声光提示
谐振点搜索    自动扫描    Q量程切换    自动/手动
谐振指针    LCD显示    LCD显示参数    F,L,C,Q,波段等
 
 绝缘材料的介电常数测试仪厂家，橡胶塑料的介电常数测试仪价格

介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场，在相同的原电场中某一介质中的电容率与真空中的电容率的比值即为相对介电常数(relative permittivity)，又称相对电容率，以ε_r表示。如果有高介电常数的材料放在电场中，场的强度会在电介质内有可观的下降。介电常数（又称电容率），以ε表示，ε=εr*ε0，ε0为真空介电常数，ε0=8.85*10-12,F/m。需要强调的是，一种材料的介电常数值与测试的频率密切相关。

一个电容板中充入介电常数为ε的物质后电容变大ε倍。

介电常数

电介质有使空间比起实际尺寸变得更大或更小的属性。例如，当一个电介质材料放在两个电荷之间，它会减少作用在它们之间的力，就像它们被移远了一样。

当电磁波穿过电介质，波的速度被减小，有更短的波长。

根据物质的介电常数可以判别高分子材料的极性大小。通常，介电常数大于3.6的物质为极性物质；介电常数在2.8~3.6范围内的物质为弱极性物质；介电常数小于2.8为非极

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GBT 1409-2006
ZJD-C介电常数及介质损耗测试仪

仪器介绍
    ZJD-C介电常数及介质损耗测试仪是根据GB/T 1409《测量电气绝缘材料在工频、音频、高频（包括米波波长在内）下电容率和介质损耗因数的试验方法》（等效采用IEC 60250）设计和制造的，并符合JB 7770等试验方法

。它适用于在高频（1MHz）下绝缘材料的测试。
技术参数
ZJD-C介电常数及介质损耗测试仪作为一代的通用、多用途、多量程的阻抗测试仪器，测试频率上限达到目前高的160MHz。 ZJD-C介电常数及介质损耗测试仪采用了多项技术：
1双扫描技术 - 测试频率和调谐电容的双扫描、自动调谐搜索功能。
2双测试要素输入 - 测试频率及调谐电容值皆可通过数字按键输入。
3双数码化调谐 - 数码化频率调谐，数码化电容调谐。
4自动化测量技术 -对测试件实施 Q 值、谐振点频率和电容的自动测量。
5全参数液晶显示 – 数字显示主调电容、电感、 Q 值、信号源频率、谐振指针。
6DDS 数字直接合成的信号源 -确保信源的高葆真，频率的高精确、幅度的高稳定。
7计算机自动修正技术和测试回路*化 —使测试回路 残余电感减至zui低，** Q 读数值在不同频率时要加以修正的困惑。
ZJD-C介电常数及介质损耗测试仪的创新设计，无疑为高频元器件的阻抗测量提供了*的解决方案，它给从事高频电子设计的工程师、科研人员、高校实验室和电子制造业提供了更为方便的检测工具，测量值更为精确，

测量效率更高。使用者能在仪器给出的任何频率、任意点调谐电容值下检测器件的品质，无须关注量程和换算单位。
     主要技术特性
Q 值测量范围    2 ～ 1023 ， 量程分档： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自动换档或手动换档
固有误差    ≤ 5 ％ ± 满度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 满度值的2％（10MHz～160MHz）
工作误差    ≤7％ ± 满度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ± 满度值的2％（10MHz～160MHz）
电感测量范围    4.5nH ～ 140mH
电容直接测量范围    1 ～ 200pF
主电容调节范围    18 ～ 220pF
主电容调节准确度    120pF 以下 ± 1.2pF ； 120pF 以上 ± 1 ％
信号源频率覆盖范围    100kHz ～ 160MHz
频率分段 （ 虚拟 ）    100 ～ 999.999kHz ， 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz ， 100 ～ 160MHz
频率指示误差    3 × 10 -5 ± 1 个字

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近十年来，半导体工业界对低介电常数材料的研究日益增多，材料的种类也五花八门。然而这些低介电常数材料能够在集成电路生产工艺中应用的速度却远没有人们想象的那么快。其主要

低介电常数薄膜机械性质量测结果

原因是许多低介电常数材料并不能满足集成电路工艺应用的要求。图2是不同时期半导体工业界预计低介电常数材料在集成电路工艺中应用的前景预测。

早在1997年，人们就认为在2003年，集成电路工艺中将使用的绝缘材料的介电常数（k值）将达到1.5。然而随着时间的推移，这种乐观的估计被不断更新。到2003年，半导体技术规划（ITRS 2003[7]）给出低介电常数材料在集成电路未来几年的应用，其介电常数范围已经变成2.7~3.1。

造成人们的预计与现实如此大差异的原因是，在集成电路工艺中，低介电常数材料必须满足诸多条件，例如：足够的机械强度（MECHANICAL strength）以支撑多层连线的架构、高杨氏系数（Young's modulus）、高击穿电压（breakdown voltage>4MV/cm)、低漏电(leakage current<10-9 at 1MV/cm)、高热稳定性（thermal stability >450oC)、良好的粘合强度(adhesion strength)、低吸水性（low moisture uptake）、低薄膜应力（low film stress）、高平坦化能力（planarization）、低热涨系数（coefficient of thermal expansion）以及与化学机械抛光工艺的兼容性（compatibility with CMP process）等等。能够满足上述特性的*的低介电常数材料并不容易获得。例如，薄膜的介电常数与热传导系数往往就呈反比关系。因此，低介电常数材料本身的特性就直接影响到工艺集成的难易度。

目前在超大规模集成电路制造商中，TSMC、 Motorola、AMD以及NEC等许多公司为了开发90nm及其以下技术的研究，先后选用了应用材料公司（Applied Materials）的Black Diamond 作为低介电常数材料。该材料采用PE-CVD技术[8] ，与现有集成电路生产工艺*融合，并且引入BLOk薄膜作为低介电常数材料与金属间的隔离层，很好的解决了上述提及的诸多问题，是目前已经用于集成电路商业化生产为数不多的低介电常数材料之一。

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QS37介电常数及介质损耗测试仪GB/T1693-2007
1.概  述                                                            
     介电常数及介质损耗测试仪GB/T1693-2007?主要用于测量高压工业绝缘材料的介质损耗角的正切值及电容量。其采用了西林电桥的经典线路。主要可以测量电容器，互感器，变压器，各种电工油及各种固体绝缘材料在工频高压下的介质损耗( tgd)和电容量( Cx)以，其测量线路采用“正接法"即测量对地绝缘的试品。电桥由桥体、指另仪、跟踪器组成，本电桥特别适应测量各类绝缘油和绝缘材料的介损（tgd）及介电常数（ε）。
2.技术指标
2.1  测量范围及误差
    本电桥的环境温度为20±5℃，相对湿度为30％－80％条件下，应满足下列表中的技术指示要求。    
在Cn＝100pF    R4＝3183.2    即10K/π时
测量项目    测量范围    测量误差
电容量Cx    40pF--20000pF    ±0.5%  Cx±2pF
介质损耗tg    0～1    ±1.5％tgx±0.0001
在Cn＝100pF    R4＝318.3    即1K/π时
测量项目    测量范围    测量误差
电容量Cx    4pF--2000pF    ±0.5%  Cx±3pF
介质损耗tg    0～0.1    ±1.5％tgx±0.0001
2.2  电桥测量灵敏度
    电桥在使用过程中，灵敏度直接影响电桥平衡的分辨程度，为保证测量准确度，希望电桥灵敏度达到一定的水平。通常情况下电桥灵敏度与测量电压，标准电容量成正比。
    在下面的计算公式中，用户可根据实际使用情况估算出电桥灵敏度水平，在这个水平上的电容与介质损耗因数的微小变化都能够反应出来。
          DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)   式中：Ｕ为测量电压    伏特（Ｖ）
ω为角频率 2pf=314(50Hz)                                     
Ｃｎ标准电容器容量    皮法（pＦ）
Ｉｇ通用指另仪的电流5X10-10    安培（Ａ）
Ｒｇ平衡指另仪内阻约1500    欧姆
Ｒ４桥臂R4电阻值3183    欧姆
Ｃｘ被测试品电容值    皮法（ｐF）
2.3 电容量及介损显示精度：    
电容量    ±0.5%×tgδx±0.0001
介  损    ±0.5％tgx±1×10-4
2.4 辅桥的技术特性：    
工作电压    ±12V，50Hz
输入阻抗    1012
输出阻抗    0.6
放大倍数    0.99
不失真跟踪电压    0～12V（有效值）
2.5 指另装置的技术特性：
    工作电压±12V
    在50Hz时电压灵敏度不低于1X10-6V／格， 电流灵敏度不低于2X10-9A／格
    二次谐波  减不小于25db
    三次谐波  减不小于50db

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"介电常数" 在工具书中的解释：

1．又称电容率或相对电容率，表征电介质或绝缘材料电性能的一个重要数据，常用ε表示。它是指在同一电容器中用同一物质为电介质和真空时的电容的比值，表示电介质在电场中贮存静电能的相对能力。对于介电材料，介电常数愈大绝缘性愈好。空气和CS2的ε值分别为1.0006和2.6左右，而水的ε值特别大，10℃时为 83.83，与温度有关。

2．介电常数是物质相对于真空来说增加电容器电容能力的度量。介电常数随分子偶极矩和可极化性的增大而增大。在化学中，介电常数是溶剂的一个重要性质，它表征溶剂对溶质分子溶剂化以及隔开离子的能力。介电常数大的溶剂，有较大隔开离子的能力，同时也具有较强的溶剂化能力。介电常数用ε表示，一些常用溶剂的介电常数见下表：

"介电常数" 在学术文献中的解释：

1．介电常数是指物质保持电荷的能力，损耗因数是指由于物质的分散程度使能量损失的大小。理想的物质的两项参数值较小

文献来源

介电常数与频率变化的关系

2.其介质常数具有复数形式，实数部分称为介电常数，虚数部分称为损耗因子.通常用损耗正切值(损耗因子与介电常数之比)来表示材料与微波的耦合能力，损耗正切值越大，材料与微波的耦合能力就越强

3．介电常数是指在同一电容器中用某一物质为电介质与该物质在真空中的电容的比值.在高频线路中信号传播速度的公式如下：V=K

4.为简单起见，后面将相对介电常数均称为介电常数.反射脉冲信号的强度，与界面的波反射系数和透射波的衰减系数有关，主要取决于周围介质与反射体的电导率和介电常